NCV8570BSN18T1G 是一款高性能的汽车级 N 沟道功率 MOSFET,专为高可靠性要求的车载应用设计。该器件采用 SOIC-8 封装形式,具有低导通电阻和高击穿电压特性,适用于多种开关和负载驱动场景。
这款 MOSFET 在高温环境下表现出色,并通过了严格的 AEC-Q101 认证,确保在极端条件下的稳定性和耐用性。
型号:NCV8570BSN18T1G
封装:SOIC-8
最大漏源电压 VDS:60V
最大栅源电压 VGS:±20V
连续漏极电流 ID:30A(@Tc=25℃)
导通电阻 RDS(on):4.9mΩ(@VGS=10V)
总功耗:25W
工作温度范围:-40℃ 至 +175℃
封装类型:表面贴装
NCV8570BSN18T1G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可有效减少传导损耗,提升效率。
2. 高额定电流能力(ID=30A),适合大电流负载的应用。
3. 支持高达 60V 的漏源电压,能够应对各种电压波动场景。
4. 宽广的工作温度范围(-40℃ 至 +175℃),适应严苛的汽车环境。
5. 符合 AEC-Q101 标准,具备卓越的可靠性和稳定性。
6. 紧凑的 SOIC-8 封装设计,便于 PCB 布局与散热管理。
7. 快速开关性能,降低开关损耗,提高系统效率。
该芯片广泛应用于汽车电子领域,例如:
1. 电动座椅和车窗驱动控制。
2. 汽车空调压缩机及风扇电机控制。
3. 车载充电器和 DC-DC 转换器中的功率开关。
4. 点火系统中的负载切换。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各种高电流负载的保护和控制电路。
NCV8570BSN18T1G 凭借其优异的电气特性和可靠性,成为许多汽车制造商的理想选择。
NCV8571MSHT1G, NCV8572BPT1G