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NCV8570BSN18T1G 发布时间 时间:2025/5/8 14:10:42 查看 阅读:22

NCV8570BSN18T1G 是一款高性能的汽车级 N 沟道功率 MOSFET,专为高可靠性要求的车载应用设计。该器件采用 SOIC-8 封装形式,具有低导通电阻和高击穿电压特性,适用于多种开关和负载驱动场景。
  这款 MOSFET 在高温环境下表现出色,并通过了严格的 AEC-Q101 认证,确保在极端条件下的稳定性和耐用性。

参数

型号:NCV8570BSN18T1G
  封装:SOIC-8
  最大漏源电压 VDS:60V
  最大栅源电压 VGS:±20V
  连续漏极电流 ID:30A(@Tc=25℃)
  导通电阻 RDS(on):4.9mΩ(@VGS=10V)
  总功耗:25W
  工作温度范围:-40℃ 至 +175℃
  封装类型:表面贴装

特性

NCV8570BSN18T1G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可有效减少传导损耗,提升效率。
  2. 高额定电流能力(ID=30A),适合大电流负载的应用。
  3. 支持高达 60V 的漏源电压,能够应对各种电压波动场景。
  4. 宽广的工作温度范围(-40℃ 至 +175℃),适应严苛的汽车环境。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,具备卓越的可靠性和稳定性。
  6. 紧凑的 SOIC-8 封装设计,便于 PCB 布局与散热管理。
  7. 快速开关性能,降低开关损耗,提高系统效率。

应用

该芯片广泛应用于汽车电子领域,例如:
  1. 电动座椅和车窗驱动控制。
  2. 汽车空调压缩机及风扇电机控制。
  3. 车载充电器和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  4. 点火系统中的负载切换。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 各种高电流负载的保护和控制电路。
  NCV8570BSN18T1G 凭借其优异的电气特性和可靠性,成为许多汽车制造商的理想选择。

替代型号

NCV8571MSHT1G, NCV8572BPT1G

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NCV8570BSN18T1G参数

  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - 线性
  • 系列-
  • 稳压器拓扑结构正,固定式
  • 输出电压1.8V
  • 输入电压2.5 V ~ 5.5 V
  • 电压 - 压降(标准)-
  • 稳压器数量1
  • 电流 - 输出200mA
  • 电流 - 限制(最小)200mA
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)5 引线
  • 供应商设备封装5-TSOP
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称NCV8570BSN18T1GOSDKR