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GCQ1555C1HR39WB01D 发布时间 时间:2025/6/3 13:48:21 查看 阅读:3

GCQ1555C1HR39WB01D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备高效率、低导通电阻以及良好的热性能,适合于需要高效能和可靠性的应用场合。
  该器件为N沟道增强型MOSFET,具有快速开关特性,并且内置了保护功能以提高系统的稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:10A
  导通电阻:3.9mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 内置过温保护和过流保护功能,确保在异常情况下的安全运行。
  3. 快速开关能力使得其非常适合高频开关应用。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件在严苛条件下的可靠性。
  5. 小尺寸封装,有利于紧凑型设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. 电机驱动和控制
  3. 工业自动化设备中的功率控制
  4. 汽车电子系统中的负载开关
  5. 充电器及适配器
  6. 电池管理系统 (BMS)
  7. LED 驱动电路
  8. 各种工业和消费类电子产品的功率管理模块

替代型号

IRF540N
  AO3400
  FDP5500
  STP10NK60Z

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GCQ1555C1HR39WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.56398卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.39 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-