时间：2025/12/26 9:40:25
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BAV99-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的双极高速开关二极管，广泛应用于各类电子设备中。该器件由两个独立的PN结二极管组成，采用串联连接方式封装在小型SOT-23表面贴装封装内，适合高密度PCB布局和自动化装配工艺。BAV99-13-F具有优异的开关性能和低漏电流特性，能够在高频信号处理、电平转换、输入保护和信号整形等应用中提供可靠的工作表现。其制造工艺符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，并通过了无铅（Pb-free）和RoHS环保认证，适用于消费类电子产品、工业控制、通信模块以及车载电子系统等多种领域。由于其紧凑的封装和高性能参数，BAV99-13-F成为现代小型化电子设计中的常用元件之一。
型号：BAV99-13-F
制造商：Diodes Incorporated
封装/包装：SOT-23
二极管配置：双串联
反向耐压（VRRM）：70 V
平均整流电流（IO）：150 mA
峰值浪涌电流（IFSM）：500 mA
正向电压（VF）：1.25 V @ 10 mA, 1 MHz
反向恢复时间（trr）：4 ns
反向漏电流（IR）：5 μA @ 70 V
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
热阻抗（RθJA）：350°C/W
BAV99-13-F具备出色的高频开关能力，其反向恢复时间（trr）典型值仅为4纳秒，使其能够快速响应高速数字信号的变化，有效减少开关过程中的能量损耗和信号失真。这一特性使其特别适用于数据线路的瞬态抑制、高速逻辑电平转换以及高频振荡电路中的信号整流。该器件的两个二极管采用串联结构，允许在单个封装中实现两级电压钳位或级联保护功能，增强了电路设计的灵活性。
其正向导通电压较低，在10mA测试条件下典型值为1.25V，有助于降低功耗并提升能效，尤其在电池供电或低功耗系统中表现出色。同时，反向漏电流极小，最大仅5μA（在70V下），确保在高阻抗节点上不会引入明显的偏置误差，适用于精密模拟前端或高输入阻抗缓冲器的保护电路。
BAV99-13-F采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的应用中使用，并支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺。该器件还具有良好的热稳定性和长期可靠性，结温范围覆盖-55°C至+150°C，可在严苛环境温度下稳定运行。此外，产品符合AEC-Q101汽车级认证要求，表明其在振动、湿度、温度循环等应力测试中均达到车规级标准，适合用于汽车电子控制系统如ECU、传感器接口和车载信息娱乐系统等对可靠性要求极高的场合。
BAV99-13-F常用于高速开关电路、数字信号线保护、I/O端口静电放电（ESD）防护、电平移位器、电源极性反接保护、高频检波电路以及各种需要小型化二极管解决方案的设计中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、路由器、USB接口保护、LCD驱动电路、微控制器GPIO保护、传感器信号调理模块以及车载网络节点等。其双串联结构也使其可用于构建简单的倍压整流电路或作为箝位二极管组使用。
MMBD99LT1G
