时间：2025/4/29 10:15:33
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DMN2026UVT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Vishay 公司的 SiHF 系列。该器件采用了小型化的 U-DFN1018-6 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种消费类电子、通信设备以及工业应用中的功率管理电路。
这款 MOSFET 主要设计用于降压转换器、负载开关、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率开关的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ
栅极阈值电压：1.5V
总功耗：0.4W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN2026UVT 的主要特性包括其超低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。
此外，它具备快速的开关速度，能够减少开关过程中的能量损失。
U-DFN1018-6 封装形式使其非常适合空间受限的设计，同时这种封装还提供了良好的热性能。
由于其低电容和低栅极电荷，该 MOSFET 可以轻松驱动，并且在高频操作下表现优异。
另外，它符合 RoHS 标准，确保环保要求得到满足。
DMN2026UVT 广泛应用于多种领域，例如：
手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理模块。
笔记本电脑适配器及充电器中的同步整流电路。
USB Type-C 接口保护和切换。
汽车电子系统中的负载控制。
电池管理系统中的开关元件。
各类 DC-DC 转换器和逆变器中的功率级开关。
DMN2027UVT
DMN2028UVT
