时间：2025/11/12 16:20:45
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KM6164002BTI-10是一款由三星（Samsung）生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于低功耗、高性能的异步SRAM系列，采用标准的64K x 8位组织结构，总容量为512Kbit（64KB），适用于需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统与工业控制设备。该芯片采用TTL电平兼容的输入输出接口，支持全静态操作，无需刷新周期即可保持数据稳定，因此在待机模式下仍能维持信息完整性。其封装形式为44引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适合在空间受限的应用环境中使用，并具备良好的散热性能和抗干扰能力。KM6164002BTI-10的工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），可适应严苛的环境条件，广泛应用于网络设备、通信模块、打印机控制器、医疗仪器以及汽车电子等领域。作为一款成熟的SRAM产品，它在市场上拥有较高的稳定性和供货保障，是许多传统设计中的首选存储解决方案之一。
型号：KM6164002BTI-10
制造商：Samsung
类型：异步SRAM
容量：512Kbit (64K x 8)
电压范围：2.7V 至 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装：44-TSOP
访问时间：10ns
组织方式：64K x 8
I/O电平：TTL兼容
功耗模式：全静态操作，低待机电流
KM6164002BTI-10具备多项优异的技术特性，使其在同类SRAM产品中具有较强的竞争力。首先，其10ns的快速访问时间确保了极高的读写响应速度，能够满足对实时性要求较高的系统需求，如高速缓存、图像处理缓冲区或实时控制系统中的临时数据存储。该芯片支持全静态操作，意味着只要电源持续供电，数据就不会丢失，且无需像DRAM那样进行周期性刷新，从而简化了系统设计并降低了功耗开销。此外，该器件采用CMOS工艺制造，显著降低了动态和静态电流消耗，在待机状态下的电流可低至数微安级别，非常适合电池供电或注重能效的便携式设备。
其次，KM6164002BTI-10具备出色的噪声抑制能力和信号稳定性，所有输入端均内置施密特触发器以增强抗干扰性能，能够在复杂电磁环境中保持可靠运行。其TTL电平兼容性使得它可以无缝对接多种微控制器、DSP处理器和FPGA平台，无需额外的电平转换电路，提升了系统集成的便利性。芯片还集成了自动低功耗模式，当片选信号处于非激活状态时，自动进入待机模式以进一步节省能耗。所有控制信号（如CE#、OE#、WE#）都经过优化设计，支持三态输出控制，允许多片SRAM并联扩展地址空间而不产生总线冲突。
在可靠性方面，该器件通过了严格的工业级温度认证（-40°C至+85°C），可在高温、低温及温变剧烈的环境下稳定工作，适用于户外通信基站、车载电子或工厂自动化设备等应用场景。其44-TSOP封装不仅体积小巧，便于高密度PCB布局，而且具备良好的热传导性能和机械强度，有助于提升整体系统的长期稳定性与耐用性。三星对该系列产品提供了长期供货承诺和技术支持，确保客户在产品生命周期内获得稳定的供应链保障。
KM6164002BTI-10广泛应用于各类需要高速、可靠、低功耗数据存储的电子系统中。常见用途包括工业控制设备中的PLC控制器缓存、数据采集系统的临时存储单元、网络路由器和交换机的数据包缓冲区、打印机和多功能一体机的页面缓存管理，以及测试测量仪器中的采样数据暂存。由于其TTL电平兼容性和宽温工作能力，也常用于汽车电子模块，如车载信息娱乐系统、ECU诊断接口和ADAS前置处理器的本地内存扩展。此外，在医疗设备如超声成像仪、病人监护仪中，该SRAM用于图像帧缓冲和实时信号处理，确保关键数据不会因断电或延迟而丢失。其稳定的性能表现和成熟的技术方案，也使其成为许多军用和航空航天领域备用系统中的选择之一。
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IS62WV6416BLL-10TLI
AS6C62256-55SCN
