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DMG2302UKQ-7 发布时间 时间:2025/12/26 12:51:24 查看 阅读:104

DMG2302UKQ-7是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低电压、N沟道MOSFET,采用微型SOT-723封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件专为在低栅极驱动电压下实现高效开关而设计,支持逻辑电平驱动,可在1.8V至5V的宽栅极电压范围内稳定工作。由于其超小型封装和优异的电气性能,DMG2302UKQ-7广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、电池管理系统以及各类高密度PCB布局场景中。该MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性,适合用于电源开关、负载切换、信号路由和电机控制等应用。此外,该器件符合RoHS环保标准,无卤素,适合现代绿色电子产品制造要求。其SOT-723封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,确保在高电流脉冲条件下仍能可靠运行。

参数

型号:DMG2302UKQ-7
  类型:N沟道MOSFET
  封装/包装:SOT-723
  通道数:单通道
  漏源电压(Vdss):20V
  栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):600mA(@ Vgs=4.5V)
  脉冲漏极电流(Idm):2.4A
  导通电阻(Rds(on)):0.27Ω(@ Vgs=4.5V)
  导通电阻(Rds(on)):0.33Ω(@ Vgs=2.5V)
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω(@ Vgs=1.8V)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):0.6V ~ 1.0V
  输入电容(Ciss):90pF(@ Vds=10V)
  反向传输电容(Crss):20pF(@ Vds=10V)
  输出电容(Coss):100pF(@ Vds=10V)
  开启延迟时间(Td(on)):4ns
  关断延迟时间(Td(off)):8ns
  上升时间(Tr):5ns
  下降时间(Tf):4ns
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  最大功率耗散(Pd):300mW

特性

DMG2302UKQ-7具备出色的低电压开关特性,能够在1.8V的低栅极驱动电压下有效导通,使其成为电池供电设备中的理想选择。其导通电阻在Vgs=1.8V时仅为0.45Ω,在Vgs=4.5V时进一步降低至0.27Ω,显著减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。该器件的栅极阈值电压较低,典型值约为0.8V,确保在微控制器或其他低电平逻辑信号驱动下也能实现快速、可靠的开关动作。
  该MOSFET的开关速度极快,开启延迟时间为4ns,关断延迟时间为8ns,配合短的上升和下降时间,使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和负载开关电路。快速的开关响应有助于减少开关损耗,提升整体电源管理效率。同时,输入电容和输出电容较小,降低了驱动电路的负载,有利于简化驱动设计并减少功耗。
  SOT-723封装是DMG2302UKQ-7的一大亮点,尺寸仅为2mm x 1.25mm,极大节省了PCB空间,特别适合高密度组装和小型化设计需求。尽管封装微小,但其热性能经过优化,能够在有限的空间内有效散热,确保长时间工作的可靠性。器件的工作结温可达+150°C,具备良好的热稳定性,适用于高温环境下的应用。
  此外,DMG2302UKQ-7具有良好的抗静电能力(ESD保护),增强了器件在生产、运输和使用过程中的鲁棒性。其符合AEC-Q101汽车级可靠性标准(部分批次),也可用于汽车电子中的非关键性负载控制。总体而言,该MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡,是现代便携式电子产品中不可或缺的功率开关元件。

应用

DMG2302UKQ-7广泛应用于需要小型化、低功耗和高效开关性能的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块,如智能手机和平板电脑中的电池充电路径控制、背光LED驱动开关以及外设电源启停控制。在可穿戴设备中,如智能手表和健康监测手环,该器件用于动态电源分配和节能模式切换,延长电池续航时间。
  在工业和通信领域,DMG2302UKQ-7可用于信号路由开关、I/O端口保护电路和低电流负载切换。其低导通电阻和快速响应特性也使其适用于精密传感器模块的电源控制,实现按需供电以降低待机功耗。此外,该器件常被用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流开关,提高转换效率。
  在汽车电子中,尽管其电压等级有限,但仍可用于低电压辅助系统,如车载信息娱乐系统的子模块电源管理、USB充电接口的过流保护开关以及车内照明的PWM调光控制。由于其符合环保标准且具备良好的温度适应性,也适用于工业级环境下的嵌入式控制系统。总之,任何需要在有限空间内实现高效、低功耗开关功能的应用场景,都是DMG2302UKQ-7的理想应用领域。

替代型号

DMG2302UHK-7
  DMP2002UFG-7
  FDC630P
  SI2302DS

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DMG2302UKQ-7参数

  • 现有数量933,670现货
  • 价格1 : ¥3.66000剪切带(CT)3,000 : ¥0.80535卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)130 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)660mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3