RF2817TR7是一款高性能射频功率晶体管,主要用于无线通信系统中的射频功率放大器应用。该器件采用了先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,能够在高频段提供高增益、高效率和高线性度的性能。其设计适用于基站、无线基础设施、工业和商业通信设备等要求高可靠性和高稳定性的应用场景。RF2817TR7封装为表面贴装型(SMT),便于自动化装配和集成到现代射频电路板中。
类型:射频功率晶体管
技术:LDMOS
最大漏极电压:28V
最大漏极电流:1.5A
最大工作频率:2.7GHz
输出功率:典型值为50W(在2.6GHz时)
增益:典型值为18dB(在2.6GHz时)
效率:典型值为65%
输入驻波比(VSWR):2:1 最大
封装类型:表面贴装(SMT)
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
RF2817TR7具有多项突出的电气和热性能,适用于高要求的射频应用。首先,其基于LDMOS技术的设计使其在高频下仍能保持优异的增益和效率,非常适合用于多频段和宽带通信系统。该器件在2.6GHz频段下可提供高达50W的输出功率,并且具有高线性度,能够满足现代通信系统对信号保真度的要求。此外,RF2817TR7具有良好的热稳定性,能够承受较高的结温,从而提高了器件在高功率工作条件下的可靠性。
该晶体管的输入和输出匹配网络已经内置,简化了外围电路设计,并减少了PCB布局的复杂性。其表面贴装封装不仅节省空间,还提高了组装效率和热管理性能。此外,RF2817TR7具有良好的抗失真能力和稳定性,在不同负载条件下仍能保持稳定的输出性能,适用于多载波和高数据速率通信应用。
RF2817TR7广泛应用于无线通信基础设施,特别是4G LTE和5G前传基站中的射频功率放大器模块。它适用于多频段和多标准基站系统,包括GSM、WCDMA、LTE和WiMAX等通信标准。此外,该器件也可用于工业、科学和医疗(ISM)频段设备、测试设备和通信中继器等应用场景。由于其高可靠性和良好的热性能,RF2817TR7还适用于需要长时间稳定运行的工业和军事通信系统。
RF2827、RF3817、NXP AFT05HP120S、Cree CGH40050