VUB60-12N01 时间：2025/8/6 7:36:35 阅读：24

VUB60-12N01是一种功率MOSFET模块，由Vishay公司生产。这款模块采用N沟道增强型MOSFET技术，适用于高功率应用，如电源转换、电机控制和工业自动化系统。该模块的设计旨在提供高效的功率转换和可靠的性能，适合需要高电流和高电压能力的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏极电流：60A
　　最大漏源电压：1200V
　　导通电阻：典型值为0.015Ω
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　最大功耗：300W

特性

VUB60-12N01功率MOSFET模块具有低导通电阻，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。其高耐压特性使其适用于1200V的工作电压环境，适用于高功率密度设计。模块采用了先进的封装技术，确保了良好的热管理和可靠性。此外，VUB60-12N01具备快速开关特性，有助于提高系统效率，减少开关损耗。该模块还具有良好的抗过载能力和耐热性能，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。这些特性使其成为高性能电源转换系统的理想选择。

应用

VUB60-12N01广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电源、逆变器、电机驱动器和UPS系统。它也常用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。由于其高耐压和高电流能力，该模块适用于需要高效功率转换和可靠性的应用场景。此外，VUB60-12N01还可用于焊接设备、电镀电源和大功率LED照明系统等高要求的工业应用。