时间：2025/9/1 17:00:14
阅读：16
HY638256LT1-15是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，其容量为256K x 8位，适用于需要高速数据访问的应用场景。这款芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和高速性能的特点。
容量：256K x 8位
工作电压：5V
访问时间：15ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持电压：2V
输入/输出电平：TTL兼容
封装尺寸：54引脚
HY638256LT1-15 SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺，具有优异的性能和可靠性。其高速访问时间为15ns，能够满足需要快速数据存取的应用需求。该芯片的工作电压为5V，并且在数据保持模式下可以支持低至2V的电压，从而在系统断电或低功耗状态下仍能保持数据的完整性。此外，其TTL兼容输入/输出电平使其能够轻松集成到多种系统设计中。
该芯片采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸，适合高密度PCB布局。工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种恶劣环境中稳定运行。HY638256LT1-15的设计注重低功耗，使其在保持高性能的同时，也能适用于对功耗敏感的应用场景。
HY638256LT1-15广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、网络设备以及消费类电子产品中。其高速存取能力和低功耗特性使其特别适合用作高速缓存、临时数据存储或系统内存扩展。例如，在路由器、交换机、工业计算机和医疗设备中，该芯片能够提供稳定可靠的数据存储解决方案。
CY62148EVLL-15ZE3, IS61LV256AL-15B4I, A638256B-15A
