类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：最大 6A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 26mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：SOT26

DME3936-000 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该 MOSFET 使用先进的沟槽式结构，增强了载流能力和热稳定性，从而在高负载条件下也能保持良好的性能。
　　此外，DME3936-000 的 SOT26 小型封装设计，使其非常适合用于高密度 PCB 布局，如便携式电子设备、移动电源、笔记本电脑和服务器电源管理模块。该器件具有良好的热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，具有较强的抗过压能力，适用于多种驱动电路设计。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和同步整流器等应用，有助于提高电源转换效率。
　　另一个显著特点是其较高的可靠性，DME3936-000 经过了严格的测试和验证，符合工业级可靠性标准，能够在严苛的工作环境下长期稳定运行。这使得它在工业控制、通信设备和汽车电子系统中具有良好的应用前景。

DME3936-000 主要用于需要高效能、低导通损耗的功率开关场合。常见应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池充电和保护电路、负载开关、电源管理模块以及各种便携式电子设备中的电源控制部分。
　　在服务器和通信设备中，DME3936-000 可用于优化电源转换效率，降低热损耗，提高系统整体能效。由于其小封装和高集成度，该器件也常用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理子系统。
　　在汽车电子领域，DME3936-000 可用于车载充电器、LED 照明驱动、电机控制和电池管理系统等应用，满足汽车环境对高可靠性和高稳定性的要求。

DMN6024S-13
　　FDN390AN
　　FDC6303
　　Si2302DS
　　R6004KN