类型：碳化硅（SiC）功率模块
　　拓扑结构：H-Bridge（H桥）
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：225A
　　短路额定值：10μs @ 125°C
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　热阻（Rth）：0.15°C/W（典型值）
　　封装尺寸：190mm x 140mm x 9.5mm
　　封装类型：双列直插式（Dual Inline）
　　绝缘等级：符合IEC 60664-1标准

MITH225QF1200LP 模块采用了先进的碳化硅 MOSFET 技术，具有出色的热性能和电气性能。其低导通压降和极低的开关损耗使其在高频开关应用中表现出色，有助于提高系统效率并减少散热需求。此外，该模块的 H 桥拓扑结构允许灵活配置为半桥或全桥电路，适用于多种功率转换拓扑。
　　模块的封装设计考虑了高可靠性和长寿命，采用高强度绝缘材料和优化的内部结构，确保在恶劣工作环境下仍能稳定运行。其热阻低至 0.15°C/W，有助于降低运行温度并提升系统可靠性。
　　该模块还具备优异的短路耐受能力，在 125°C 工作温度下可承受 10μs 的短路冲击，适用于对可靠性要求极高的工业和交通应用。此外，模块内部集成温度传感器，便于系统进行实时温度监测和保护。

MITH225QF1200LP 主要用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统。典型应用包括工业变频器、电动汽车车载充电器（OBC）、直流快充桩、储能逆变器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等。
　　由于其优异的热管理和高频开关能力，该模块在高功率密度设计中表现出色，特别适合需要减少系统尺寸和重量的应用场景，例如电动汽车和便携式能源设备。
　　在电机控制领域，MITH225QF1200LP 可用于高性能伺服驱动器和工业自动化设备，提供更高的效率和更快的响应速度。此外，在可再生能源系统中，该模块可有效提升逆变器的整体效率，降低能量损耗。

MITSUBISHI MITH225QF1200LPA1, Littelfuse MITH225QF1200LP-1