类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：20V
　　连续漏极电流(Id)@25℃：9A
　　连续漏极电流(Id)@70℃：6.1A
　　脉冲漏极电流(Idm)：36A
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=4.5V：8.5mΩ
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=2.5V：11.5mΩ
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=1.8V：14.5mΩ
　　阈值电压(Vgs(th))@Id=1mA：0.6V~1.0V
　　输入电容(Ciss)@Vds=10V：575pF
　　输出电容(Coss)@Vds=10V：230pF
　　反向传输电容(Crss)@Vds=10V：45pF
　　总栅极电荷(Qg)@Vgs=4.5V, Id=9A：8nC
　　开启延迟时间(td(on))：6ns
　　关断延迟时间(td(off))：12ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃~+150℃
　　封装/外壳：PowerDI5060 (SOT1227)

DMC3021LSD-13采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种技术通过优化硅基结构实现了极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件在Vgs=4.5V时，最大Rds(on)仅为8.5mΩ，在同类产品中表现出色，特别适用于高电流、低电压的应用场合。其低阈值电压（典型值为0.8V）使得它能够兼容1.8V、2.5V和3.3V逻辑电平，可直接由微控制器或数字信号处理器驱动，无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET的两个通道相互独立，允许灵活配置为同步整流器、半桥拓扑或并联使用以提高电流能力。其紧凑的PowerDI5060封装不仅节省PCB空间，还具有优异的热性能，底部暴露焊盘设计有助于将热量快速传导至PCB，提升散热效率。器件符合RoHS标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保的要求。
　　此外，DMC3021LSD-13具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，在异常工况下仍能保持一定的鲁棒性。其低栅极电荷（Qg=8nC）和低输入电容（Ciss=575pF）使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗，提升了电源系统的动态响应速度。这些特性使其成为便携式设备、通信模块、工业控制和消费类电子中理想的功率开关选择。

DMC3021LSD-13适用于多种中低功率电源管理应用。常见用途包括同步降压转换器中的上下桥臂开关，尤其在多相VRM（电压调节模块）中作为高效DC-DC变换器的核心元件。它也广泛用于负载开关电路，控制电源路径的通断，例如在电池供电设备中实现外设电源隔离。此外，该器件可用于H桥电机驱动电路，驱动小型直流电机或步进电机，常见于打印机、扫描仪和智能家居设备中。
　　在移动终端如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，DMC3021LSD-13可用于背光LED驱动、摄像头模块电源控制以及USB端口的过流保护开关。其高集成度和小尺寸封装使其非常适合空间敏感的设计。在网络通信设备中，该MOSFET可用于PoE（以太网供电）接收端的电源管理单元，提供高效的本地电压转换。工业自动化系统中的传感器供电管理、PLC模块和嵌入式控制器也常采用此类高性能双N沟道MOSFET来实现可靠的功率控制功能。

DMG3021LSD-13
　　SI7421DP-T1-GE3
　　FDMC3021