类型：功率 MOSFET 模块
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：64A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.045Ω（最大值 0.055Ω）
　　栅极电荷（Qg）：约 150nC（具体数值取决于测试条件）
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　短路耐受能力：有

IXGK64N60B3D1 拥有出色的电气和热性能，使其在高功率应用中表现优异。该器件的低导通电阻可以显著降低传导损耗，提高系统效率。其先进的沟槽式栅极设计提供了更快的开关速度，减少了开关损耗，从而支持高频操作。此外，该 MOSFET 模块具备良好的短路保护能力，增强了器件在严苛工作环境下的可靠性。
　　该 IC 还采用了坚固的封装设计，能够承受较高的机械应力，并具备良好的散热性能。这使得 IXGK64N60B3D1 在高电流和高温条件下仍能保持稳定运行。器件的栅极驱动要求较低，可以与标准的驱动电路兼容，简化了设计和应用过程。
　　为了确保在各种应用中的稳定性，IXGK64N60B3D1 还内置了反向恢复保护功能，防止因二极管反向恢复引起的过电压损坏。该模块的多层结构设计有效降低了电磁干扰（EMI），从而提高了系统的整体性能。

IXGK64N60B3D1 主要用于高功率电源转换设备，如不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器和工业自动化系统。此外，它还广泛应用于电动车充电系统、太阳能逆变器以及各类高功率开关电源中。由于其优异的热性能和电气特性，该器件非常适合在要求高效率、高可靠性和高功率密度的应用中使用。

IXGH64N60B3D1, IXFN64N60P, FF600R12ME4