时间：2025/5/20 9:12:33
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DG211DY是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高频开关条件下保持高效运行。
其封装形式通常为TO-220，适合散热要求较高的应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：38nC
工作温度范围：-55℃至150℃
DG211DY具有以下显著特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为5mΩ，能够有效减少导通损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达30A的连续漏极电流。
3. 较小的栅极电荷量（Qg）降低了开关损耗，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠性能。
5. TO-220封装提供优秀的散热性能，便于集成到高功率系统中。
DG211DY适用于多种电力电子领域：
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 直流电机驱动电路中的驱动开关。
3. 各类负载切换应用，如汽车电子中的继电器替代。
4. 电池管理系统中的保护开关。
5. 工业控制设备中的功率转换模块。
IRFZ44N
STP30NF10
IXFN30N10T
FDP17N10
