CBW201209U800T是一种高功率密度的碳化硅(SiC)肖特基二极管,广泛应用于高频开关电源、逆变器和电机驱动等领域。其设计利用了碳化硅材料的独特性能,从而实现了低导通损耗和快速恢复特性,非常适合需要高效能和高频率工作的电路。
该器件采用了先进的封装技术,能够有效降低热阻并提高散热性能,从而确保在恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。
型号:CBW201209U800T
最大正向电流:20A
反向电压:1200V
正向压降:1.6V(典型值@15A)
结电容:30pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-2
CBW201209U800T的主要特性包括:
1. 使用碳化硅材料,具备极低的正向压降和反向漏电流,提高了整体效率。
2. 超快恢复时间,典型值小于50ns,适合高频应用。
3. 高温工作能力,最高结温可达175℃,适用于极端环境条件。
4. 极高的反向耐压能力(1200V),增强了系统的可靠性。
5. 采用TO-247-2标准封装,具有良好的散热性能和机械强度。
6. 无反向恢复电荷(Qrr),减小了开关损耗并提升了系统动态性能。
7. 符合RoHS环保标准,支持绿色制造。
CBW201209U800T适用于以下领域:
1. 高频开关电源(SMPS)中的整流和箝位功能。
2. 光伏逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
3. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的DC/DC和DC/AC转换器。
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
5. 不间断电源(UPS)和电池充电器中的功率管理部分。
6. 任何需要高效率、高频率和高温稳定性的电力电子应用。
C2M0012120D, SCT2012AL, FGH120R12KS