时间：2025/9/3 3:38:37
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P01NT9 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于各种高效率、高频率的开关应用。
类型：N 沟道
漏源电压 Vds：100V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：160A
导通电阻 Rds(on)：5.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
功率耗散 Pd：200W
P01NT9 MOSFET 的主要优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
该器件采用先进的 Power MOSFET 技术，具备优异的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作。
其高耐压能力（Vds=100V）使其适用于多种中高功率应用，例如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等。
P01NT9 还具备快速开关特性，适合高频开关电路，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提升系统响应速度。
此外，该器件的封装形式为 TO-220，便于散热和安装，适用于通孔焊接工艺。
P01NT9 被广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：电源适配器、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电动工具、电动车控制系统、工业自动化设备以及高功率 LED 照明驱动电路等。
其优异的电气特性和热稳定性使其成为许多高性能功率转换应用的首选器件。
P01NT9 的功能和性能可与以下型号互换使用：IRF1404、SiR140DP、NTMFS4C10N、FDP160N10A。在替换时，应确保替代器件的电气参数和封装形式满足应用需求。
