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H8MBX00U0MRR-0EM 发布时间 时间:2025/9/1 21:34:33 查看 阅读:8

H8MBX00U0MRR-0EM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于DDR4 SDRAM类别,通常用于高性能计算、服务器、网络设备以及其他需要大容量内存和高速数据访问的应用场景。这款内存芯片以其稳定性和高速度而著称,适合在对内存性能有较高要求的系统中使用。

参数

类型:DRAM
  内存类型:DDR4 SDRAM
  容量:1GB
  数据速率:2400Mbps
  电压:1.2V
  封装类型:FBGA
  引脚数:78球
  工作温度:0°C至85°C

特性

H8MBX00U0MRR-0EM 是一款高性能的DDR4内存芯片,具备2400Mbps的数据传输速率,能够满足现代计算系统对内存带宽的需求。其1.2V的低电压设计不仅有助于降低功耗,还能减少热量产生,提高系统的能效和稳定性。该芯片采用78球的FBGA封装形式,具有良好的电气性能和热管理能力,适用于紧凑型电路设计。
  此外,该芯片的工作温度范围为0°C至85°C,能够在较为严苛的环境条件下稳定运行,适用于工业级和服务器级设备。其高可靠性和长寿命设计,使得它在长时间运行的系统中表现优异,例如服务器、数据中心设备和嵌入式系统等。
  这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺和优化的电路设计,确保了数据的高速读写能力和长期稳定性。它支持多种自动刷新模式和低功耗模式,便于系统在不同使用场景下灵活控制能耗。

应用

H8MBX00U0MRR-0EM 广泛应用于服务器、工作站、网络交换机、路由器、嵌入式系统、工业计算机以及其他高性能计算设备中。由于其高带宽和低功耗特性,它特别适合用于需要大量内存和高速数据处理能力的系统,例如云计算基础设施、边缘计算设备以及高性能计算(HPC)平台。
  在服务器应用中,这款内存芯片可以提升系统的多任务处理能力和响应速度,满足数据中心对性能和能效的双重需求。在嵌入式系统中,它能够提供稳定可靠的内存支持,确保关键任务的顺利执行。

替代型号

H8MBX00U0MER-0EM, H8MBX00U0MR0-0EM, H8MBX00U0MRR-0EC

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