类型：氮化镓功率晶体管
　　漏源电压（VDS）：900V
　　连续漏极电流（ID）：64A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为120mΩ
　　栅极电压范围：-5V 至 +7V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

DK64N90具备多项优异特性，使其在高性能电源转换系统中表现出色。
　　首先，其采用的GaN-on-SiC衬底技术提供了优异的热管理能力，能够有效散发高功率密度运行时产生的热量，从而提高器件的可靠性和寿命。这种技术还使得器件具有较低的寄生电容，有助于提升开关速度并减少开关损耗。
　　其次，DK64N90的导通电阻非常低（典型值120mΩ），这使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。此外，该器件支持高达900V的漏源电压，使其适用于高电压应用，如AC/DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。
　　在开关性能方面，DK64N90具备极快的开关速度，可以显著减少开关损耗，从而支持更高频率的电源设计。这不仅有助于减小磁性元件和电容的尺寸，还能提升系统的功率密度和响应速度。
　　此外，DK64N90的栅极驱动电压范围较宽（-5V至+7V），允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制，简化了驱动电路的设计，并提高了系统的兼容性和灵活性。
　　最后，该器件具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击，而不发生永久性损坏，这为系统提供了更高的安全性和稳定性。

DK64N90广泛应用于需要高效率、高频率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括服务器电源、通信基站电源、工业电源、电池充电系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。在这些应用中，DK64N90能够显著提升系统效率，同时减小电源体积，满足现代电源系统对节能和小型化的需求。此外，其高耐压能力和低导通损耗也使其成为硬开关和软开关拓扑（如LLC谐振转换器、相移全桥、PFC电路等）的理想选择。

GS66508T, EPC2045, LMG5200