GS5536AD B1 时间：2025/9/30 14:35:31 阅读：3

GS5536AD B1是一款由Giantec（吉迪特）公司生产的高性能、低功耗的同步整流控制器芯片，主要应用于反激式（Flyback）电源转换器中的同步整流控制。该芯片专为提高AC-DC电源适配器、充电器和开放式电源等应用的效率而设计，在高频率开关环境下能够有效替代传统的肖特基二极管整流方案，显著降低整流损耗，提升整体能效。GS5536AD B1采用先进的自适应开通与关断控制技术，能够精确检测功率MOSFET的漏源极电压（VDS），实现精准的导通与关断时序控制，避免误触发和体二极管导通，从而优化系统效率并增强可靠性。该芯片具备良好的抗噪声能力，适用于宽范围输入电压和输出电压的应用场景，并支持多种工作模式，包括连续导通模式（CCM）、断续导通模式（DCM）和准谐振模式（QR），确保在不同负载条件下均能实现高效整流控制。此外，GS5536AD B1集成了多重保护功能，如过温保护、欠压锁定（UVLO）等，提升了系统的安全性和稳定性。其小型化的封装形式有助于节省PCB空间，适用于高密度电源设计。

参数

型号：GS5536AD B1
　　封装类型：SOT-23-6
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　供电电压范围（VDD）：7V 至 30V
　　静态电流：典型值 180μA
　　最大驱动电压：12V
　　峰值输出电流：350mA（源电流）/ 500mA（吸电流）
　　开关频率支持：最高可达500kHz
　　导通阈值电压（VDS_TH_ON）：典型值 80mV
　　关断阈值电压（VDS_TH_OFF）：典型值 120mV
　　延迟时间调节：通过外部电容可调
　　保护功能：具备UVLO、OTP、VDS尖峰滤波功能

特性

GS5536AD B1具备优异的自适应同步整流控制能力，其核心特性在于采用了高精度的VDS检测机制，能够在反激变换器次级侧准确感知功率MOSFET的漏源电压变化，从而实现零延迟的导通与关断控制。该芯片通过内部集成的智能算法自动识别不同的工作模式（如CCM、DCM和QR），并相应调整驱动信号的时序，确保在各种负载条件下都能维持最佳的同步整流效率，避免因MOSFET提前关断或延迟导通导致的能量损耗。其自适应关断功能可有效防止在轻载或空载情况下出现误触发，提升系统轻载效率并满足能源之星等能效标准要求。
　　为了增强系统的抗干扰能力，GS5536AD B1内置了先进的噪声抑制电路和VDS尖峰滤波技术，能够在高频开关环境中有效区分真实的导通需求与电压尖峰干扰，防止误动作导致的直通或效率下降。此外，芯片支持外部电容调节导通和关断延迟时间，使设计工程师可以根据实际变压器参数和PCB布局灵活优化驱动时序，进一步提升系统稳定性和效率表现。
　　该器件还集成了全面的保护机制。欠压锁定（UVLO）功能确保芯片在供电电压未达到稳定工作范围时不启动输出，防止异常操作；过温保护（OTP）则在芯片温度超过安全阈值时自动关闭输出，待温度恢复后自动重启，保障长期运行的可靠性。GS5536AD B1的低静态电流设计（典型值180μA）使其在待机或轻载状态下功耗极低，非常适合追求高能效和低待机功耗的应用场景。其SOT-23-6小型封装不仅节省空间，还具备良好的热性能和电气性能，便于自动化生产与焊接。

应用

GS5536AD B1广泛应用于各类中小功率AC-DC电源系统中，尤其适用于需要高能效和紧凑设计的电源适配器、手机及便携设备充电器、LED驱动电源、智能家居电源模块以及工业用开放式电源等场景。由于其支持宽输入电压范围和多种工作模式，该芯片可在反激式拓扑结构中作为次级侧同步整流控制器，替代传统肖特基二极管，显著降低整流损耗，提升整机效率，尤其是在5V至20V输出电压范围内的应用中表现突出。此外，该芯片也适用于USB PD快充电源、多口充电站等对效率和温升有严格要求的设计中。得益于其出色的动态响应能力和稳定性，GS5536AD B1在面对负载突变或输入电压波动时仍能保持可靠的整流控制，确保输出电压的平稳。同时，其内置的多重保护功能使其在恶劣工作环境或异常工况下仍能保障系统安全，延长电源产品的使用寿命。对于追求高功率密度、低待机功耗和高可靠性电源解决方案的设计者而言，GS5536AD B1是一个理想的选择。