类型: NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）: 300V
　　集电极-基极电压（Vcbo）: 300V
　　发射极-基极电压（Vebo）: 5V
　　最大集电极电流（Ic）: 100mA
　　最大功耗（Ptot）: 300mW
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　存储温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装类型: SOT-23

DI156S-L T/R 晶体管具有多项优良特性，使其在各种应用中表现出色。首先，该晶体管的集电极-发射极电压（Vceo）和集电极-基极电压（Vcbo）均高达 300V，使其适用于高压开关和放大电路。这种高耐压特性使得该晶体管能够在较高的电压条件下稳定工作，减少了电路设计中的电压限制问题。
　　其次，DI156S-L T/R 的最大集电极电流为 100mA，足以满足大多数低功率应用的需求。虽然其电流容量不是特别高，但在通用晶体管中属于中等水平，适合用于信号放大、开关控制等场景。　　此外，DI156S-L T/R 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明其具有良好的温度适应性。无论是极端寒冷还是高温环境，该晶体管都能保持稳定的工作性能，适用于工业级和汽车电子等对环境要求较高的应用场景。
　　该晶体管还具有良好的电气特性，例如较高的电流增益（hFE）和较低的饱和电压（Vce_sat），这使得它在放大电路和开关电路中都能表现出色。较高的 hFE 意味着较小的基极电流即可控制较大的集电极电流，从而提高电路的效率。较低的 Vce_sat 则减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体系统的能效。
　　最后，DI156S-L T/R 的设计考虑到了长期使用的可靠性和稳定性。其材料和制造工艺符合行业标准，能够保证在长时间运行中不会出现明显的性能下降或失效问题。

DI156S-L T/R 晶体管适用于多种电子电路设计，尤其是在需要高压和中等电流控制的场合。常见应用包括：开关电路、放大器电路、稳压器、DC-DC 转换器、传感器接口电路、逻辑电平转换电路等。
　　在开关电路中，DI156S-L T/R 可用于控制负载的导通与断开，如继电器驱动、LED 驱动、小型电机控制等。其高耐压特性使其能够承受较大的电压波动，适用于需要频繁开关操作的应用。
　　在放大器电路中，DI156S-L T/R 可用于信号放大，特别是在音频放大器和射频放大器中。其较高的电流增益和较低的饱和电压使其在信号处理中表现出良好的线性度和效率。
　　在稳压器和 DC-DC 转换器中，DI156S-L T/R 可作为功率开关元件，用于调节输出电压或电流。由于其较高的 Vceo 和较低的功耗，该晶体管在电源管理电路中具有良好的性能表现。
　　此外，DI156S-L T/R 也常用于传感器接口电路中，用于将传感器的模拟信号转换为数字信号，或者用于放大传感器输出的微弱信号。其良好的温度稳定性和电气特性使其在工业自动化和汽车电子中具有广泛的应用前景。

MMBT3904, 2N3904, BC847, 2N2222