2SK502 时间：2025/7/23 0:29:50 阅读：5

2SK502 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高频率功率变换电路中。2SK502采用了TO-220封装形式，具备良好的热稳定性和高耐压特性，适合于需要高效率和高可靠性的电子系统设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：7A
　　最大耗散功率（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.85Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约20nC
　　输入电容（Ciss）：约1100pF
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（为MOSFET，无体二极管反向恢复问题）

特性

2SK502具有多个显著的电气和热性能优势，首先是其高达900V的漏源击穿电压（Vds），使得它非常适用于高电压环境下的开关操作。其最大连续漏极电流可达7A，具备较强的功率承载能力。
　　该MOSFET的导通电阻约为0.85Ω，在同类器件中属于较低水平，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其最大功耗为40W，配合良好的散热设计可确保在高负载条件下稳定运行。
　　2SK502的栅极电荷（Qg）约为20nC，输入电容（Ciss）为1100pF，这使得它在高频开关应用中表现出色，能够减少开关损耗并提高响应速度。
　　器件的封装形式为TO-220，具备良好的热传导性能，便于安装在散热片上以提高散热效果。同时，其工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适应多种复杂的工作环境。
　　由于其优异的开关特性，2SK502在电源转换器、电机驱动器、电子镇流器以及LED照明系统中均有广泛应用。

应用

2SK502主要用于各种高电压、中等功率的开关电源系统中，例如AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器以及不间断电源（UPS）等设备。其高频特性也使其适用于电子镇流器和LED照明驱动电路中。
　　此外，该器件也广泛用于电机控制、电磁炉、感应加热设备等需要高可靠性和高效能功率开关的场合。由于其良好的热稳定性和过载能力，2SK502也被应用于工业自动化控制系统中的功率输出模块。
　　在消费类电子产品中，2SK502常见于开关式电源供应器、投影仪、激光打印机等设备中，作为主功率开关元件使用。它还可用于逆变器系统、太阳能转换器和电动车控制器等新能源相关应用中。