2SK502 是一款由日本东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高频率功率变换电路中。2SK502采用了TO-220封装形式,具备良好的热稳定性和高耐压特性,适合于需要高效率和高可靠性的电子系统设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):900V
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大连续漏极电流(Id):7A
最大耗散功率(Pd):40W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
导通电阻(Rds(on)):约0.85Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):约20nC
输入电容(Ciss):约1100pF
输出电容(Coss):约350pF
反向恢复时间(trr):不适用(为MOSFET,无体二极管反向恢复问题)
2SK502具有多个显著的电气和热性能优势,首先是其高达900V的漏源击穿电压(Vds),使得它非常适用于高电压环境下的开关操作。其最大连续漏极电流可达7A,具备较强的功率承载能力。
该MOSFET的导通电阻约为0.85Ω,在同类器件中属于较低水平,有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,其最大功耗为40W,配合良好的散热设计可确保在高负载条件下稳定运行。
2SK502的栅极电荷(Qg)约为20nC,输入电容(Ciss)为1100pF,这使得它在高频开关应用中表现出色,能够减少开关损耗并提高响应速度。
器件的封装形式为TO-220,具备良好的热传导性能,便于安装在散热片上以提高散热效果。同时,其工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,适应多种复杂的工作环境。
由于其优异的开关特性,2SK502在电源转换器、电机驱动器、电子镇流器以及LED照明系统中均有广泛应用。
2SK502主要用于各种高电压、中等功率的开关电源系统中,例如AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器以及不间断电源(UPS)等设备。其高频特性也使其适用于电子镇流器和LED照明驱动电路中。
此外,该器件也广泛用于电机控制、电磁炉、感应加热设备等需要高可靠性和高效能功率开关的场合。由于其良好的热稳定性和过载能力,2SK502也被应用于工业自动化控制系统中的功率输出模块。
在消费类电子产品中,2SK502常见于开关式电源供应器、投影仪、激光打印机等设备中,作为主功率开关元件使用。它还可用于逆变器系统、太阳能转换器和电动车控制器等新能源相关应用中。
2SK1318, 2SK1530, 2SK2141, 2SK2545, IRF840