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IRF7478QTRPBF 发布时间 时间:2025/6/24 8:29:25 查看 阅读:4

IRF7478QTRPBF 是一款 N 没有导通沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能的开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。
  这款 MOSFET 使用了 PowerPAK? SO-8 封装形式,提供卓越的热性能和电气性能。其出色的性能使其成为众多高效率应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:52A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:46nC
  总电容:395pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRF7478QTRPBF 的主要特点是低导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外,它还具备快速开关能力,从而减少了开关损耗。
  此器件采用了 Vishay 的先进制造技术,确保了高可靠性和稳定性。PowerPAK? SO-8 封装形式提供了卓越的散热性能,并且比传统封装更小更轻,非常适合空间受限的应用环境。
  另外,该 MOSFET 具有非常低的输入电容和输出电容,有助于进一步提升开关速度,同时降低电磁干扰(EMI)。

应用

IRF7478QTRPBF 广泛应用于各种需要高效功率转换的领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机控制与驱动
  4. 工业自动化设备
  5. 通信基础设施中的功率管理模块
  由于其强大的电流处理能力和较低的导通电阻,该器件在需要大电流输出和高频操作的应用中表现出色。

替代型号

IRF7478GTRPBF, IRF7478STRPBF

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IRF7478QTRPBF参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 4.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1740pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称IRF7478QTRPBFDKR