类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：6.5A
　　导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS = 4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN2020
　　功率耗散(PD)：1.8W
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C

DHH5536N1F具有多个关键特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其低导通电阻显著减少了导通损耗，提高了系统效率。在VGS为10V时，RDS(on)为23mΩ，在较低的栅极电压4.5V时仍能保持30mΩ的低导通电阻，这使得该器件适用于多种驱动电压环境。此外，该MOSFET的漏源耐压为30V，能够应对较高电压的功率转换需求，适用于多种电源管理系统。该器件的连续漏极电流为6.5A，具有较强的负载能力。DHH5536N1F采用DFN2020封装，具有优良的散热性能，有助于降低工作温度，提高器件的长期可靠性。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，可在多种环境条件下稳定运行。该MOSFET的功率耗散为1.8W，进一步确保了其在高功率密度设计中的适用性。整体来看，DHH5536N1F是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于广泛的功率管理应用。

DHH5536N1F广泛应用于多种功率管理场景。其中包括DC-DC转换器，如升压和降压转换器，用于提高能量转换效率。在电池管理系统中，该MOSFET可作为高效的开关元件，实现电池充放电控制。此外，DHH5536N1F还可用于负载开关电路，实现对负载的快速通断控制，提高系统的响应速度和稳定性。在电机控制应用中，该器件可用于驱动小型直流电机，提供良好的功率控制和可靠性。由于其封装小巧且性能优异，DHH5536N1F也适用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和穿戴设备中的电源管理模块。在工业自动化和消费电子领域，该MOSFET同样能够发挥出色的性能。

Si2302DS, AO3400A, FDS6675, BSS138K