DHG100X1200NA是一款由东芝(Toshiba)制造的高耐压、大电流双极性晶体管(BJT),专为高功率开关和放大应用设计。该晶体管采用了先进的制造工艺,确保了高可靠性和长寿命。其主要特点是高耐压(1200V)和大集电极电流(100A),使其适用于工业电源、变频器、逆变器等高要求的应用场景。
类型:NPN双极性晶体管
最大集电极-发射极电压(Vceo):1200V
最大集电极电流(Ic):100A
最大基极电流(Ib):5A
最大耗散功率(Ptot):300W
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
电流增益(hFE):在Ic=8A, Vce=5V时,典型值为10
饱和压降(Vce_sat):在Ic=80A, Ib=8A时,最大值为3.5V
DHG100X1200NA的主要特性包括高耐压能力,能够承受高达1200V的集电极-发射极电压,确保在高压环境下稳定工作;大电流承载能力,最大集电极电流可达100A,适用于高功率应用。该晶体管还具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温和高负载条件下长时间运行。此外,其TO-247封装设计提供了良好的散热性能,确保在高功率操作下的可靠性。
该晶体管的电流增益(hFE)在Ic=8A时典型值为10,适合用于需要高放大倍数的电路设计。同时,其饱和压降(Vce_sat)在Ic=80A时最大为3.5V,能够在高电流条件下保持较低的功耗,提高整体系统的效率。DHG100X1200NA的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应广泛的工业环境条件,具有出色的环境适应性。
DHG100X1200NA广泛应用于工业电力电子设备,如变频器、逆变器、直流电源供应器和电机驱动器。其高耐压和大电流特性使其非常适合用于高功率开关电路和功率放大电路。此外,该晶体管还可用于工业自动化设备、电焊机、不间断电源(UPS)系统以及各种高功率测试设备。由于其优异的性能和可靠性,DHG100X1200NA也是用于高要求的电力电子变换器和功率控制系统的理想选择。
TOSHIBA DHG100X1200NA、TOSHIBA 2SC5200、TOSHIBA 2SA1943、STMicroelectronics ST100N120