LQ5AW136 时间：2025/8/27 22:25:30 阅读：5

LQ5AW136 是一款由罗姆（Rohm）公司推出的低导通电阻、高电流能力的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的应用中。该器件采用先进的制造工艺，具有优异的电气特性和热稳定性，适用于各种电源管理、负载开关、马达控制等场景。LQ5AW136 通常采用紧凑的封装形式，例如TSMT4或DFN1006等，适合空间受限的设计需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：2.6A
　　导通电阻（RDS(ON)）：0.095Ω @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT4或DFN1006
　　输入电容（Ciss）：11pF @ VDS=10V

特性

LQ5AW136 具备多个显著的性能特点，首先是其较低的导通电阻（RDS(ON)），在4.5V的栅极电压下仅为0.095Ω，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其次，该器件的栅极电荷（Qg）非常低，使得在高频开关应用中能够快速导通和关断，从而降低开关损耗。LQ5AW136 的封装设计优化了热管理性能，确保在高电流负载下仍能保持稳定的运行温度。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，提高了器件在严苛环境下的可靠性。其小型封装形式不仅节省了PCB空间，也简化了在便携式设备和高密度电路板中的集成。LQ5AW136 还具有良好的抗静电（ESD）能力，适合在复杂电磁环境中使用，保障系统的稳定运行。
　　值得一提的是，LQ5AW136 的栅极驱动电压范围较为宽泛，通常可在2.5V至12V之间工作，这使其能够与多种逻辑电平（如3.3V或5V）控制器兼容，提高了设计的灵活性。此外，该器件的漏极和源极之间具备较高的击穿电压耐受能力，能够承受一定的瞬态过压情况，从而增强系统的安全性。

应用

LQ5AW136 适用于多种电子设备和系统，特别是在对能效和空间要求较高的应用中。常见应用包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC转换器、同步整流器、马达驱动电路、LED照明控制以及各类便携式电子产品中的电源管理模块。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等，LQ5AW136 常用于电源路径管理，控制电池与主系统之间的连接，实现高效的充放电管理和低功耗运行。在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器电源控制以及小型电机驱动电路。
　　由于其具备良好的热稳定性和较高的可靠性，LQ5AW136 也适用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED车灯驱动等。此外，在物联网（IoT）设备中，该MOSFET常用于无线模块的电源管理，以延长电池续航时间并提高系统效率。