时间：2025/5/10 17:54:44
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IRLML0060TRPBF是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装形式，非常适合于空间受限的应用场景。其低导通电阻和高开关速度使其成为便携式电子设备、电池供电设备以及低压电源管理应用的理想选择。
该MOSFET的最大漏源电压为30V，适用于较低电压的电路设计，同时具有极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极-源极电压范围：-1/+6V
总功耗：380mW
工作结温范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高效率。
2. 高开关速度，适合高频应用环境。
3. 小型化SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
6. 支持逻辑电平驱动，便于与微控制器或其他数字电路接口配合使用。
IRLML0060TRPBF广泛应用于各种低功率、低电压的电子设备中，例如：
1. 手机和其他便携式电子产品的电源管理。
2. 电池供电设备中的负载开关控制。
3. 数据通信设备中的信号切换。
4. 小型电机驱动和控制。
5. LED照明驱动电路。
6. 低压DC-DC转换器中的同步整流开关。
由于其小尺寸和高效性能，该器件特别适合需要紧凑设计和低功耗的应用场合。
AO3400A
SI2302DS
NTSM019N
FDC6502
DMN2003USN-13
