类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　漏极电流（ID）：16 A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：45 mΩ（典型值，VGS = 10 V）
　　功率耗散（PD）：60 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK

2N7091 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件具备较高的耐压能力，漏源电压可达 60 V，适合中等功率的开关应用。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，封装设计支持良好的散热性能，从而确保在高负载条件下仍能稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5 V 到 20 V 之间，可与多种驱动电路兼容，包括常见的 PWM 控制器和微控制器。
　　2N7091 的快速开关特性也使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统效率。此外，其内置的体二极管能够在感性负载切换时提供回路保护，避免电压尖峰对器件造成损坏。

2N7091 主要用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。例如，在 DC-DC 升压或降压转换器中作为主开关元件，实现高效的能量转换；在电机驱动电路中用于控制电机的启停和方向；在电池管理系统中作为充放电控制开关。
　　此外，该器件也广泛应用于电源管理模块、负载开关、逆变器、LED 驱动器和工业自动化控制系统中。由于其具备良好的热稳定性和高可靠性，2N7091 在汽车电子、消费类电子产品和工业设备中均有广泛应用。

IRFZ44N, FQP16N60, STP16NF06, FDPF6N60