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DCP69A-13 发布时间 时间:2025/12/26 9:15:24 查看 阅读:9

DCP69A-13是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL小型封装。该器件专为高效率、低电压应用而设计,广泛应用于便携式电子设备和电源管理电路中。DCP69A-13具有较低的正向压降和快速的开关响应时间,能够有效减少功率损耗并提升系统整体能效。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他消费类电子产品中的电源整流与反向极性保护电路。
  该二极管的最大重复反向电压(VRRM)为40V,确保在中等电压环境下稳定运行。同时,它具备高达200mA的平均整流电流能力,足以满足多数低功耗电路的需求。由于采用了先进的芯片制造工艺和材料技术,DCP69A-13在高温环境下的可靠性表现优异,工作结温范围可达-55°C至+125°C,适用于各种严苛的工作条件。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且不含卤素,符合现代绿色电子产品的设计要求。

参数

型号:DCP69A-13
  制造商:Diodes Incorporated
  封装/包装:SOD-123FL
  二极管类型:肖特基势垒二极管
  最大重复反向电压 VRRM:40V
  最大直流阻断电压 VR:40V
  峰值正向浪涌电流 IFSM:0.5A(8.3ms 单半正弦波)
  平均整流电流 IO:200mA
  正向压降 VF:最大 450mV(在 IF = 100mA 时)
  反向漏电流 IR:最大 1μA(在 VR = 40V 时)
  工作结温范围 TJ:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围 TSTG:-55°C 至 +150°C
  热阻 θJA:470°C/W
  安装类型:表面贴装
  峰值反向电压 VRWM:40V
  电容 C:约 30pF(在 VR = 1V, f = 1MHz 时)

特性

DCP69A-13的核心优势在于其出色的电学性能与高度集成的小型化设计相结合。作为一款肖特基势垒二极管,它利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而实现了更低的正向导通压降和更快的开关速度。这种结构显著减少了导通状态下的能量损耗,提升了电源转换效率,特别适合用于电池供电设备中以延长续航时间。其典型正向压降仅为380mV左右(测试条件为IF=100mA),远低于普通硅二极管的0.7V水平,这意味着在相同电流下产生的热量更少,有助于改善系统的热管理。
  该器件还具备极低的反向恢复时间(trr < 5ns),几乎不存在反向恢复电荷,因此在高频开关应用中表现出色,可有效抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI)。这对于开关电源、DC-DC转换器以及信号解调电路尤为重要。SOD-123FL封装不仅体积小巧(仅约2mm × 1.25mm × 1mm),而且具有良好的散热性能和机械强度,便于自动化贴片生产,提高了制造效率与良率。产品经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、温度循环和高湿存储等,确保长期使用的稳定性。此外,DCP69A-13通过了AEC-Q101车规级认证的部分项目,可在汽车电子辅助系统中使用,如车载信息娱乐系统或传感器模块中的保护电路。所有参数均在严格控制的条件下进行测试,保证批次间一致性,降低客户设计风险。

应用

DCP69A-13被广泛应用于多种需要高效整流和快速响应的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的电源管理单元,如智能手机和平板电脑中的电池充电路径控制、USB接口的过压与反接保护、以及低压差线性稳压器(LDO)输出端的隔离二极管。在DC-DC升压或降压转换电路中,它常用于续流二极管(flyback diode)角色,帮助维持电感电流连续性,提高转换效率并减少输出纹波。
  此外,该器件也适用于工业控制领域的传感器信号调理电路,用于防止感应电动势对敏感元件造成损害;在LED照明驱动电路中,可用于防止反向电压击穿LED串;在网络通信设备中,可用于ESD保护和信号整流。由于其低漏电流特性,在待机模式或低功耗休眠状态下也能保持系统能耗最低,因而非常适合物联网(IoT)终端节点、无线传感器网络等对能效要求极高的应用场景。汽车电子方面,可用于车身控制模块、车内照明系统及车载充电器中的防反接保护。总之,凡是需要小尺寸、高效率、快速响应的整流或隔离功能的地方,DCP69A-13都是一个理想选择。

替代型号

DF02LS-TP
  SB2040-AU
  MBR0240T1G
  PMDS390

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DCP69A-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)85 @ 500mA,1V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DCP69ADITR