时间：2025/8/9 19:30:01
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FMV09N90E是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率开关的场合。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
漏极电流（ID）：9A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω（最大值）
栅极电压（VGS）：±30V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：60W
FMV09N90E具有优异的导通和开关性能，适用于高效率电源转换应用。其低导通电阻减少了导通损耗，提高系统效率。同时，该器件具备高雪崩能量耐受能力，提高了在极端条件下的可靠性。
此外，FMV09N90E的封装设计具有良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作。其高栅极绝缘耐压能力确保了在高频开关应用中的稳定性与安全性。
该MOSFET还具有快速恢复二极管特性，适用于反向电压较高的场合。器件内部结构优化，减少了寄生电容，从而降低了开关损耗，提高了工作频率适应能力。
FMV09N90E常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路、照明设备以及工业自动化系统中。它适用于需要高耐压和中等电流能力的功率开关场合，特别是在高效率和紧凑型设计中表现出色。
FQP9N90C, STF9N90M, IRF840, SIHP09N90C
