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DH48S-S 发布时间 时间:2025/12/27 0:37:24 查看 阅读:11

DH48S-S是一款由Diodes Incorporated生产的双通道高压侧和低压侧栅极驱动器,专为驱动功率MOSFET、IGBT等功率开关器件而设计。该芯片广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动以及半桥和全桥拓扑结构中。DH48S-S采用高集成度设计,内部集成了逻辑输入处理、电平位移电路、输出驱动级以及保护功能,能够在高噪声环境下提供稳定可靠的驱动信号。该器件具备高耐压能力,支持高达500V的电压摆率(dV/dt)抗扰度,适用于高频、高效率的功率转换系统。其封装形式为SOP-8,具有良好的散热性能和空间利用率,适合紧凑型电源设计。
  DH48S-S的输入逻辑兼容标准TTL/CMOS电平,支持独立的高端和低端输入控制,允许用户灵活配置死区时间以防止上下桥臂直通。此外,该芯片内置了自举二极管,减少了外部元件数量,简化了PCB布局并降低了整体成本。工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+125°C),确保在恶劣环境下的长期稳定性。由于其高集成度和高可靠性,DH48S-S成为许多中低功率电源系统中的首选驱动方案之一。

参数

类型:栅极驱动器
  通道类型:高边/低边驱动
  输出通道数:2
  工作电压(VDD):10V ~ 20V
  逻辑输入电压:3.3V / 5V 兼容
  峰值输出电流:±0.5A
  驱动能力:拉电流/灌电流各500mA
  最大开关频率:100kHz以上
  上升时间(典型值):40ns
  下降时间(典型值):30ns
  传播延迟:100ns(典型)
  dV/dt抗扰度:500V/ns(最小)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOP-8
  内置自举二极管:是

特性

DH48S-S的核心优势在于其高集成度与出色的抗干扰能力。该芯片采用高压工艺制造,能够在高共模瞬态干扰(CMTI)环境下稳定工作,有效防止因电压突变导致的误触发现象。其内置的电平位移技术使得高端驱动能够跟随浮动电源(VB)进行同步偏置,从而实现对高边MOSFET的高效驱动。这一机制特别适用于半桥拓扑中,当低端开关快速导通或关断时,高端参考点发生剧烈变化的情况下仍能保持驱动信号的完整性。
  该器件的输入接口支持独立控制INH(高端输入)和INL(低端输入),允许用户通过外部控制器精确调节两个输出之间的死区时间,避免桥臂短路风险。同时,输入逻辑经过施密特触发整形,增强了对噪声的抑制能力,提升了系统的鲁棒性。输出级采用图腾柱结构,具备较强的驱动能力,可在短时间内完成对MOSFET栅极电容的充放电过程,降低开关损耗,提高系统整体效率。
  DH48S-S还集成了多项保护功能,如欠压锁定(UVLO),当VDD或VB电压低于阈值时自动关闭输出,防止器件在非正常状态下运行。此外,芯片内部设有热关断保护机制,在温度过高时会自动切断输出,待温度恢复后重新启动,保障系统安全。其SOP-8封装不仅节省空间,而且引脚间距合理,便于自动化生产和手工焊接,适合大批量应用。总体而言,DH48S-S是一款性能优异、可靠性高的双通道栅极驱动器,适用于多种中高频功率变换场景。

应用

DH48S-S广泛应用于各类电力电子系统中,尤其是在需要高效、可靠驱动功率开关器件的场合。典型应用包括开关模式电源(SMPS),特别是LLC谐振变换器、有源钳位反激式电源(ACF)以及同步整流电源系统。在这些应用中,DH48S-S用于驱动半桥或全桥拓扑中的MOSFET,提供精确的时序控制和强驱动能力,以实现高效率的能量转换。
  此外,该芯片也常见于DC-DC升压/降压转换器、太阳能逆变器、UPS不间断电源、电动工具电池管理系统以及小型电机驱动器中。在电机控制领域,它可用于驱动BLDC(无刷直流电机)或PMSM(永磁同步电机)的功率桥臂,配合PWM控制器实现精准的速度和扭矩调节。由于其具备良好的dV/dt抗扰度,特别适合在高动态负载变化环境中使用,例如电动汽车车载充电机(OBC)中的辅助电源模块。
  在工业自动化设备、LED恒流驱动电源以及通信电源模块中,DH48S-S也被广泛采用。其内置自举二极管的设计减少了外部元件数量,降低了PCB复杂度和物料成本,尤其适合对体积和成本敏感的应用。同时,其宽温工作范围使其能够在高温工业环境中长期稳定运行,满足严苛的可靠性要求。

替代型号

IRS21844S, IR2110S, UCC27531, FAN7382, MIC5018

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