容量：3.3μF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　电介质材料：X5R
　　封装尺寸：1210（3225 公制）
　　温度系数：±15%
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C

THCS50E1H335MTF 陶瓷电容器具有多种显著的特性。首先，其采用 X5R 电介质材料，提供了良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内保持电容值的稳定。其次，该电容器的额定电压为 50V，能够承受较高的电压应力，适用于需要较高电压稳定性的应用场景。此外，该型号的容差为 ±20%，允许在一定范围内有一定的电容值变化，这在实际应用中提供了更高的灵活性。THCS50E1H335MTF 还具有较低的等效串联电阻（ESR）和较高的自谐振频率，使其在高频电路中表现出色。其 1210（3225 公制）封装尺寸也使其适用于高密度电路板设计，便于实现紧凑的电子设备布局。
　　此外，该电容器的制造工艺确保了其在各种环境条件下的可靠性和耐用性，适用于工业设备、通信设备、汽车电子系统等多种应用场合。其良好的机械强度和耐热性能也使其能够在较高温度环境下稳定工作，延长了使用寿命并减少了维护需求。

THCS50E1H335MTF 主要应用于以下领域：1. 工业自动化设备中的电源滤波和去耦电路；2. 高频开关电源和 DC-DC 转换器中的滤波和储能元件；3. 通信设备中的信号处理和滤波电路；4. 汽车电子系统中的稳定电源供应和噪声抑制；5. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路；6. 医疗电子设备中的信号调节和滤波电路。由于其高稳定性和宽温度范围适应性，该电容器也广泛用于航空航天和军事电子设备中。

TDK C3225X5R2E335K160AC, Murata GRM32ER61H335KA01L