S8050M-D 时间：2025/8/17 3:58:09 阅读：8

S8050M-D是一款常用的NPN型双极性晶体管（BJT），广泛应用于低功率放大和开关电路中。该晶体管采用TO-92封装，具有良好的热稳定性和高频响应，适用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

参数

类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：150mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：40V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-92

特性

S8050M-D晶体管具备优异的高频性能，适用于中高频放大电路。其高电流增益（hFE）范围（110至800）使其能够适应不同放大需求，适用于低噪声放大器和前置放大器应用。该晶体管的TO-92封装形式便于手工焊接和安装，适用于原型设计和小批量生产。此外，其较低的饱和压降（Vce_sat）有助于减少功率损耗，提高电路效率。S8050M-D的热稳定性较好，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合在高温环境下使用。该晶体管符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。
　　在开关应用中，S8050M-D可以快速导通和关断，适用于继电器、LED和小型电机的驱动电路。其较高的集电极-发射极击穿电压（Vceo）为30V，使其在中等电压开关应用中具有较高的可靠性。此外，该晶体管的最大功耗为300mW，适用于低功耗电子设备设计。

应用

S8050M-D晶体管常用于音频放大器、信号放大电路、开关控制电路、数字逻辑电路、传感器接口电路以及LED驱动电路等。在消费电子领域，它被广泛应用于遥控器、无线通信模块和小型电源管理电路。在工业控制领域，S8050M-D可用于继电器驱动、继电保护电路和自动化控制电路中的信号处理。此外，该晶体管也适用于玩具、电子仪表和便携式电子设备中的低功耗放大和开关应用。