类型：隔离式双通道栅极驱动器
　　隔离等级：3.75 kVRMS（增强型隔离）
　　工作电压：最高25 V（VDD）
　　输入电压兼容性：3.3 V / 5 V逻辑输入
　　输出驱动能力：拉电流/灌电流最大分别为2.5 A / 2.5 A
　　传播延迟：典型值为55 ns
　　脉宽失真（PWD）：最大10 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>50 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8引脚，宽体SOIC（IMR后缀）

SI8236AA-C-IMR 的核心特性在于其基于电容式数字隔离技术实现的高可靠性与高性能。该芯片内部采用双通道结构，每通道均可独立控制，支持高边和低边配置，适用于半桥、全桥等多种拓扑结构。其高达3.75 kVRMS的隔离等级满足增强型隔离安全标准，如UL1577和IEC 60747-5-2，适用于需要高绝缘要求的工业和车载应用场景。
　　芯片具备宽输入电压范围（支持3.3 V和5 V逻辑接口），可适配多种控制器（如MCU、DSP或FPGA），同时输出端口支持最高25 V工作电压，能够驱动各种类型的功率器件。其输出驱动能力为2.5 A拉/灌电流，确保栅极驱动的快速性和稳定性，从而减少开关损耗并提高系统效率。
　　传播延迟典型值为55 ns，且通道间的延迟匹配误差极小，有助于实现精确的时序控制。脉宽失真（PWD）最大为10 ns，确保高频工作下的信号完整性。此外，其共模瞬态抗扰度（CMTI）超过50 kV/μs，展现出优异的抗干扰能力，适合工作在高噪声环境中的系统。
　　内置的故障保护机制包括欠压锁定（UVLO）和热关断保护，有助于提升系统稳定性与安全性。封装采用8引脚宽体SOIC（IMR），具有良好的散热性能和机械稳定性，符合工业级工作温度范围（-40°C至+125°C）。

SI8236AA-C-IMR 广泛应用于各类需要高可靠性和高性能隔离驱动的电力电子系统中，如工业变频器、伺服驱动器、电机控制模块、光伏逆变器、储能系统、DC-DC转换器、电动汽车充电模块以及UPS不间断电源等。其高隔离等级和强抗噪能力使其特别适合在高压、高温、高噪声环境下运行的系统中使用。

ADuM4223-AD, UCC21520, HCPL-J312, ISO550