类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　极性：单路（阳极-阴极）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：550mV @ 1A（典型值），800mV @ 1A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C, 40V；10mA @ 125°C, 40V
　　反向恢复时间（trr）：<30ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约250°C/W（PCB板上）
　　引脚数：2
　　安装类型：表面贴装（SMT）

DF08S-T的核心特性之一是其低正向导通压降，在1A电流下典型值仅为550mV，最大不超过800mV。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于高频率开关电源和电池供电设备，有助于提高整体能效并延长续航时间。低VF还意味着发热量更小，从而减少了对额外散热措施的需求，有利于实现小型化设计。
　　另一个关键特性是其快速的反向恢复能力，反向恢复时间trr小于30ns。相较于传统PN结二极管，肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中几乎不会产生反向恢复电荷（Qrr），避免了由此引起的开关尖峰和电磁干扰问题。这使得DF08S-T非常适合用于同步整流、DC-DC升压/降压转换器以及反激式电源拓扑中，能有效提升转换效率并降低噪声水平。
　　该器件具备良好的热稳定性和可靠性。其最大工作结温可达+150°C，能够在高温环境中持续运行而不发生性能劣化。同时，SOD-123FL封装具有较小的物理尺寸（约2.0mm x 1.3mm x 1.1mm），非常适合高密度PCB布局，满足现代消费类电子对微型化和轻薄化的设计需求。此外，该封装具备优良的焊接可靠性和机械强度，支持回流焊工艺，便于自动化生产。
　　DF08S-T还具有较低的反向漏电流，在常温25°C时仅为0.1μA（典型值），尽管在高温125°C时会上升至10mA，但仍处于可接受范围内。用户在高温应用场景中需注意热管理设计以控制漏电流增长。总体而言，该器件在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是一款适用于多种通用整流任务的理想选择。

DF08S-T广泛应用于各类需要高效整流与低功耗特性的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备，其中它被用于防止电池反接、实现电源路径切换或作为DC-DC转换器中的续流二极管。
　　在电源适配器和USB充电模块中，DF08S-T可用于次级侧整流环节，特别是在非隔离式降压或升压变换器中，凭借其低正向压降和快速响应特性，显著提升能量转换效率，减少发热问题。此外，它也常用于太阳能充电控制器、LED驱动电源以及小型逆变器等绿色能源相关产品中，作为防倒灌二极管或整流元件。
　　工业控制领域中，该器件可用于传感器供电保护、I/O端口箝位以及信号解调电路。由于其具备较强的浪涌承受能力（IFSM达30A），也能在一定程度上抵御瞬态电流冲击，增强系统的鲁棒性。在通信模块和物联网节点中，DF08S-T因其小型封装和低静态功耗优势，成为理想的电源隔离与电压保持元件。
　　此外，该二极管还可用于AC-DC整流后的高频滤波、逻辑电平移位电路中的钳位保护，以及H桥驱动中的飞轮二极管配置。总之，凡是对体积、效率和响应速度有较高要求的应用场景，DF08S-T均能提供稳定可靠的性能支持。

SB140LS-T
　　SS14
　　MBR140
　　1N5819W-7-F
　　AP2112KTR-G1