时间：2025/8/9 19:35:43
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2SK2647是一种N沟道功率MOSFET，常用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。该器件采用先进的平面技术制造，具有高可靠性和低导通电阻的特点。2SK2647通常封装在TO-220或TO-252等常见的功率封装中，适合高效率和高功率密度的设计需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：12A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：最大0.045Ω
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220、TO-252
2SK2647具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件的高栅极电荷特性使其适用于高频开关应用，减少开关损耗。此外，2SK2647具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高负载条件下保持稳定工作。其先进的平面工艺技术确保了器件的高可靠性和长寿命，适用于各种苛刻的工作环境。
该MOSFET的高电流能力使其能够驱动大功率负载，例如电机和变压器。同时，2SK2647的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于集成到各种系统中。其封装设计具有良好的散热性能，有助于降低结温并提高器件的可靠性。
2SK2647广泛应用于电源管理领域，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器和电池充电器。此外，该器件也用于电机控制电路、电子负载、LED驱动器以及各种工业自动化设备中的功率开关。在汽车电子系统中，如车载充电器和电机控制器，2SK2647也表现出优异的性能。
2SK2647可以替代为2SK3084、2SK2545、IRFZ44N、Si4440DY
