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GA1206Y822KXBBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:22:01 查看 阅读:4

GA1206Y822KXBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
  这款功率MOSFET适用于要求高效能和低功耗的设计场合,能够在较高的电流负载下保持较低的能量损耗。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:8.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:45nC(最大值)
  开关频率:高达500kHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220

特性

GA1206Y822KXBBR31G 具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗。
  2. 高击穿电压,确保在高压环境下稳定运行。
  3. 快速开关特性,适合高频开关应用。
  4. 优秀的热稳定性,可承受较宽的工作温度范围。
  5. 内置过流保护功能,提高系统的可靠性和安全性。
  6. 封装设计紧凑,便于安装和散热。

应用

该元器件广泛应用于多种电力电子领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,如降压或升压电路。
  3. 电机控制与驱动,例如无刷直流电机驱动。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 太阳能逆变器及储能系统的功率调节单元。

替代型号

IRFZ44N
  STP90NF06L
  FDP5500
  AO3400A

GA1206Y822KXBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-