DCMM37PM是一款由Diodes公司推出的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各类电源管理电路等应用场景。DCMM37PM封装为DFN2020-6(2mm x 2mm),具有较小的封装尺寸,适合高密度电路设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):12A(在Vgs=10V时)
导通电阻(Rds(on)):最大9.8mΩ(在Vgs=10V时)
导通电阻温度系数:正温度系数
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:DFN2020-6
功率耗散(Pd):1.5W
热阻结到环境(RθJA):80°C/W
热阻结到外壳(RθJC):10°C/W
DCMM37PM采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备极低的导通电阻,从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的效率。其低Rds(on)特性使得在高电流应用中也能保持较低的温升,增强了系统的稳定性和可靠性。该MOSFET具有12A的连续漏极电流能力,在高功率密度应用中表现优异。
该器件的封装尺寸为DFN2020-6,仅有2mm x 2mm,适合空间受限的设计,如便携式电子设备、笔记本电脑、服务器和通信设备。DFN封装还提供了良好的热性能,有助于将热量有效地传导至PCB,从而减少对外部散热器的依赖。
DCMM37PM具有较宽的工作温度范围(-55°C至150°C),能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。其栅极驱动电压范围较宽(通常在4.5V至20V之间),可与多种控制器或驱动器兼容,提高了设计的灵活性。
此外,该MOSFET具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。其高电流能力和低导通电阻也有助于减少电路中的功率损耗,提高能效。
DCMM37PM广泛应用于各种功率电子系统中,包括DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电源管理单元(PMU)、服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备以及便携式电子产品。其小尺寸和高性能特性使其成为高密度电路设计的理想选择。
在服务器和通信设备中,DCMM37PM常用于多相电源设计,以支持高性能处理器和FPGA的供电需求。由于其低Rds(on)和快速开关特性,它能够在高频下高效运行,满足现代数据中心对能效和散热管理的严格要求。
在便携式设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机,DCMM37PM可用于电池保护电路、负载开关和电源路径管理。其低功耗和小封装尺寸有助于延长电池寿命并节省PCB空间。
此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载信息娱乐系统(IVI)。其宽温度范围和高可靠性使其能够适应严苛的汽车工作环境。
DCMM38PM, DMB3013LVT-7, AO4406, Si4410BDY