类型：P沟道
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：-40V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：-50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：-5V
　　集电极电流（IC）：-500mA
　　功耗（PD）：625mW
　　直流增益（hFE）：120～800（典型值）
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92

2SB523具有优异的直流电流增益特性，其hFE范围宽广，典型值在120至800之间，这使得它能够在不同的偏置条件下稳定工作，并适应多种放大电路的需求。这种宽增益范围有助于减少电路调试难度，提高批次一致性。
　　该器件具备较高的开关速度，过渡频率达到150MHz，表明其在高频小信号应用中表现良好，可用于射频前端或高速数字开关场合。虽然主要定位为通用晶体管，但其频率响应能力优于许多同类P沟道产品。
　　热稳定性方面，2SB523的最大结温可达+150°C，且可在-55°C的低温环境下正常运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。其TO-92封装虽小巧，但在合理散热条件下可承受最高625mW的功耗，满足多数低功耗设计需求。
　　击穿电压方面，集电极-发射极电压额定为-40V，集电极-基极为-50V，提供了足够的电压裕度，防止因瞬态过压导致器件损坏。同时，发射极-基极反向击穿电压为-5V，在设计偏置电路时需注意限制该电压，避免造成不可逆损伤。
　　由于采用成熟的硅工艺制造，2SB523具有较低的漏电流和良好的长期可靠性，即使在恶劣环境条件下也能保持稳定的性能。此外，其引脚排列符合标准TO-92三极管规范，便于手工焊接与自动化装配，提升了生产和维修便利性。

2SB523常用于各类中小功率电子设备中的信号放大与开关控制功能。在音频前置放大电路中，它可以作为输入级或中间增益级使用，利用其高hFE特性实现良好的电压放大效果。由于其P沟道结构，特别适合用于互补对称输出级中的上拉部分，配合NPN晶体管构成推挽输出结构。
　　在数字逻辑接口电路中，2SB523广泛用于电平转换、驱动继电器或LED指示灯等负载。例如，在微控制器输出端口无法直接吸收足够电流时，可通过2SB523进行电流放大，实现对较高功率外设的有效控制。其-500mA的集电极电流能力足以驱动多数小型电磁装置。
　　该晶体管也常见于电源管理模块中，如线性稳压器或电池反接保护电路。利用其导通特性，可构建简单的低压降开关或极性保护开关，防止系统因错误接线而受损。
　　此外，在消费类电子产品如电视、收音机、电话机和家用电器控制板中，2SB523被用作状态切换、静音控制或传感器信号调理单元的一部分。其低成本和高可用性使其成为制造商在追求性价比方案时的优选器件。
　　在工业自动化领域，该晶体管可用于PLC输入模块的信号缓冲或隔离环节，将现场信号传递至主控单元。总体而言，2SB523凭借其通用性和稳健性能，覆盖了从民用到轻工业的广泛应用场景。

MMBT3906, BC327, KSP2907A, 2N3906