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H55S2562JFR-60M 发布时间 时间:2025/9/2 22:22:27 查看 阅读:12

H55S2562JFR-60M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类型,通常用于需要高性能内存支持的电子设备中,例如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备等。H55S2562JFR-60M 提供了256MB的存储容量,工作频率为166MHz,采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适用于多种应用场景。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM / SDRAM
  频率:166MHz
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据宽度:16位
  工作温度:0°C 至 70°C

特性

H55S2562JFR-60M 是一款高性能的同步动态随机存取存储器芯片,其主要特性包括高速数据访问能力、低功耗设计以及稳定的运行表现。该芯片的同步操作使得数据传输更加高效,能够与系统时钟同步进行读写操作,提升整体系统性能。此外,H55S2562JFR-60M 的工作电压为3.3V,相较于早期的5V SDRAM芯片,其功耗更低,适用于对功耗敏感的应用场景。
  该芯片的TSOP封装形式有助于减少封装体积,同时提高散热性能,适用于空间受限的设备。其16位的数据宽度使得其在数据吞吐量上具有较高的效率,适合用于需要高速数据处理的嵌入式系统和工业控制设备。H55S2562JFR-60M 的工作温度范围为0°C 至 70°C,能够满足大多数工业级应用的需求,确保在不同环境条件下稳定运行。
  此外,H55S2562JFR-60M 采用标准的SDRAM接口,便于与其他系统组件集成,降低了设计复杂度并提高了兼容性。该芯片广泛应用于通信设备、网络设备、图像处理系统等领域,为系统提供可靠的内存支持。

应用

H55S2562JFR-60M 主要应用于需要高性能内存支持的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和网络设备等。该芯片的高速数据访问能力和低功耗特性使其适用于对实时性要求较高的场景,例如视频处理、数据传输、图像采集等。在工业自动化控制系统中,H55S2562JFR-60M 可作为主控芯片的外部存储器,提供足够的数据缓存能力。此外,在网络设备中,该芯片可支持路由器、交换机等设备的高速数据缓存需求,提升系统的整体性能。H55S2562JFR-60M 也常用于消费类电子产品中,如多媒体播放器、智能家电等,为其提供稳定可靠的内存支持。

替代型号

H57V2562GTR-6B, MT48LC16M2A2B4-6A, HY57V281620FTP-6B

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H55S2562JFR-60M参数

  • 位址总线宽15bit
  • 字组数目4M
  • 存储器大小256Mbit
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度8mm
  • 封装类型FBGA
  • 尺寸8 x 8 x 0.61mm
  • 引脚数目54
  • 数据总线宽度16bit
  • 数据速率166MHz
  • 最低工作温度-30 °C
  • 最大工作电源电压1.95 V
  • 最小工作电源电压1.7 V
  • 最长随机存取时间6ns
  • 最高工作温度+85 °C
  • 每字组的位元数目16bit
  • 组织16M x 16 位
  • 长度8mm
  • 高度0.61mm