CS4N60 时间：2025/8/2 4:17:51 阅读：23

CS4N60是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件由华润微电子（CRMicro）生产，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。CS4N60的封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

型号：CS4N60
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：4A（25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220 / TO-252

特性

CS4N60功率MOSFET具备多项优异的电气和热性能。首先，其600V的漏源电压（VDS）使其适用于高电压应用场景，如AC-DC电源适配器和工业控制电源系统。其次，导通电阻RDS(on)较低，有助于降低导通损耗，提高能效。此外，CS4N60具有较高的热稳定性，能够承受较大的功率耗散，并在高温环境下保持稳定运行。
　　CS4N60的栅极驱动电压范围宽，支持±30V的栅源电压（VGS），提高了驱动的灵活性和抗干扰能力。其4A的连续漏极电流能力满足中等功率应用的需求，例如DC-DC转换器、马达控制和LED照明驱动等。
　　在封装方面，CS4N60采用TO-220或TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，便于安装和维护。同时，其内部结构优化，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。这些特性使CS4N60成为一款适用于多种功率应用的可靠、高效MOSFET器件。

应用

CS4N60功率MOSFET广泛应用于多个领域。在电源管理方面，常用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器和DC-DC转换器，作为主开关或同步整流器件。在工业自动化控制系统中，CS4N60可用于驱动继电器、接触器和电机，实现负载的高效控制。此外，在LED照明驱动电路中，CS4N60可用于恒流源设计，提高灯具的能效和寿命。
　　在消费类电子产品中，CS4N60也常见于充电器、电源插座和智能家电的电源管理模块中。其高耐压和低导通电阻特性使其成为替代传统双极性晶体管（BJT）的理想选择，有助于提高系统的整体能效和稳定性。同时，CS4N60也适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用领域。