时间：2025/6/25 10:31:20
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GA0805Y183KXJBC31G 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的功率晶体管，属于高性能、高频应用的电子元器件。该型号采用了先进的封装技术和材料工艺，能够实现高效的功率转换和更低的能量损耗。其主要应用于高频率开关电源、DC-DC 转换器、无线充电设备以及其他需要高效能量转换的场景。
相比传统的硅基 MOSFET，该 GaN 晶体管具备更快的开关速度、更高的效率以及更小的尺寸，非常适合对体积和性能有较高要求的应用场合。
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：70nC
反向恢复时间：20ns
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
封装形式：LFPAK88
1. 采用先进的 GaN 技术，提供超低导通电阻和快速开关能力。
2. 高效的能量转换性能，可显著降低功耗。
3. 小型化设计，适合紧凑型电路布局。
4. 支持高频操作，适用于高频开关电源及 DC-DC 转换器。
5. 具备出色的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
6. 内置保护机制，提高整体系统的安全性与可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化电子产品中。
1. 高频开关电源
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电设备
4. 快速充电器
5. 电机驱动器
6. 工业自动化设备中的功率模块
7. LED 驱动电源
8. 新能源汽车相关应用如车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器
GAN063-650WSA
PSMN080-60YL
GXT65R180MFDA
