DAN212KT146是一种高性能的双极性晶体管(BJT),专为高频开关和线性放大应用设计。该器件采用先进的制造工艺,确保了其在高频率和高功率下的稳定性能。它通常被用于射频(RF)电路、功率放大器以及其他需要高效能和低噪声的场景。
这种晶体管具备出色的增益带宽积和较低的噪声系数,能够满足通信设备、无线模块以及其他电子系统中的严格要求。
集电极-发射极电压(Vce):80V
集电极电流(Ic):5A
增益带宽积(fT):7GHz
最大耗散功率(Ptot):125W
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
特征频率(fT):7GHz
直流电流增益(hFE):最小值20,典型值100
DAN212KT146具有卓越的高频性能,能够在高达7GHz的频率范围内提供稳定的增益表现。
其额定电流和电压参数使其适用于多种中高功率应用场景。
此外,该晶体管采用了专门优化的设计以降低热阻,从而提高了散热能力和长期可靠性。
封装形式紧凑且兼容标准SMD安装工艺,适合大规模自动化生产环境。
由于其低噪声特性和较高的动态范围,DAN212KT146成为许多精密模拟电路的理想选择。
DAN212KT146广泛应用于以下领域:
1. 射频功率放大器
2. 中高功率音频放大器
3. 通信设备中的高频信号处理
4. 工业控制与自动化系统
5. 无线充电模块
6. 测试测量仪器中的高速开关电路
7. 雷达系统及卫星通信中的关键组件
DAN212KT145, DAN211KT146, MRF212