时间：2025/6/22 8:20:20
阅读：3
EVM2GSX80BQ4 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的功率电子评估模块，主要用于帮助设计工程师快速开发和测试高效率、高频开关应用。该模块集成了高性能的 GaN FET 和驱动电路，能够显著降低系统损耗并提高功率密度。
它通常应用于电源转换领域，例如 AC-DC 适配器、无线充电设备、电动汽车充电站以及工业电机驱动等场景。通过使用 EVM2GSX80BQ4，用户可以更方便地探索 GaN 技术的优势，并加速产品上市时间。
型号：EVM2GSX80BQ4
工作电压范围：10V 至 80V
最大电流：20A
开关频率：高达 2MHz
GaN FET 阈值电压：4V
封装形式：QFN
尺寸：20mm x 20mm
热阻：1°C/W
输入电容：3nF
输出电感：0.5μH
EVM2GSX80BQ4 拥有以下关键特性：
1. 高效的氮化镓晶体管技术，提供比传统硅基 MOSFET 更高的开关速度和更低的导通电阻。
2. 内置优化的栅极驱动电路，支持高频操作并减少电磁干扰。
3. 小型化设计，简化了 PCB 布局复杂度。
4. 提供全面保护功能，包括过流保护、短路保护和过温关断。
5. 支持多种拓扑结构，如 Buck、Boost 和反激式转换器。
6. 具备出色的散热性能，确保长时间稳定运行。
7. 可通过配套软件进行参数配置和实时监控。
这些特性使得 EVM2GSX80BQ4 成为现代高效功率转换的理想选择。
EVM2GSX80BQ4 广泛应用于以下领域：
1. 消费电子产品中的快充解决方案，例如手机和平板电脑的充电器。
2. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。
3. 新能源汽车相关的车载充电器和 DC-DC 转换模块。
4. 数据中心服务器电源管理。
5. 无线充电系统的功率级控制。
6. LED 照明驱动器。
由于其卓越的效率和紧凑的设计，EVM2GSX80BQ4 特别适合需要高功率密度和低热量生成的应用场景。
EVM2GSX65AQ2, EVM2GSX100CQ3
