时间：2025/5/22 2:16:53
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GMC04CG120J25NT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-263 封装形式。该器件主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高功率应用场合。其设计特点在于低导通电阻和快速开关性能，有助于提高系统的效率并降低热损耗。
该型号属于沟道增强型 MOSFET，具有较低的栅极电荷和输出电容，可实现高频操作下的高效能量转换。
最大漏源电压：120V
最大连续漏电流：25A
最大脉冲漏电流：75A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅源开启电压：4V
栅源关断电压：-4V
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃至175℃
GMC04CG120J25NT 提供了卓越的电气性能，特别适合高效率功率转换应用。以下是该芯片的一些关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），降低了导通状态下的功率损耗。
2. 快速开关速度，能够减少开关损耗并支持高频运行。
3. 优化的封装设计，具备良好的散热性能。
4. 宽泛的工作温度范围，适用于恶劣环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该器件广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器中的功率级模块。
4. 汽车电子系统中的负载开关或 DC-DC 转换器。
5. 工业控制和自动化设备中的功率管理单元。
GMC04CG120J30NT, IRFZ44N, FDP55N12
