时间：2025/5/30 15:26:40
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J175-D26Z是一款基于硅材料设计的高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、逆变器、电机驱动等高电压应用领域。该型号属于N沟道增强型器件，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低热损耗。
J175系列以其优异的耐压性能和可靠性著称，适合工业级及汽车级应用环境。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源极电压Vds：800V
最大栅源极电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：4.3A
导通电阻Rds(on)：3.5Ω（在Vgs=10V时）
总功耗Pd：17W
工作温度范围Tj：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
J175-D26Z具备以下主要特性：
1. 高击穿电压：高达800V的漏源极电压使其适用于各种高压场景。
2. 低导通电阻：在典型栅极驱动条件下，其Rds(on)仅为3.5Ω，从而减少传导损耗。
3. 快速开关性能：较低的输入电容和输出电容确保了快速开关切换，减少了开关损耗。
4. 高可靠性：经过严格的质量测试，能够在极端温度和恶劣环境下稳定运行。
5. 小型化封装：采用标准TO-220封装，便于安装和散热管理。
J175-D26Z广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- 用于AC-DC转换器中的功率开关。
2. 逆变器：
- 适用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
3. 电机驱动：
- 在电动车窗、座椅调节器等汽车电子系统中作为驱动元件。
4. LED驱动器：
- 为高亮度LED提供高效稳定的电流控制。
5. 工业控制：
- 用作电磁阀、继电器等负载的开关控制。
IRF840, STP80NF06, K1208
