时间：2025/9/1 15:18:21
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H9TKNNN4GDARHR-NDM是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的制造工艺和封装技术，专为需要高速数据访问和大容量内存的应用场景设计。H9TKNNN4GDARHR-NDM属于移动LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，具有低功耗、高性能和高集成度的特点。
类型：DRAM
型号：H9TKNNN4GDARHR-NDM
容量：4GB
封装：BGA
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
接口：LPDDR4
工作温度：-40°C至85°C
H9TKNNN4GDARHR-NDM的显著特性之一是其低功耗设计，适用于移动设备和电池供电系统。该芯片在1.1V的电压下运行，显著降低了功耗，从而延长了设备的电池寿命。同时，LPDDR4接口技术使得数据传输速率高达3200Mbps，保证了高性能的数据处理需求。
此外，H9TKNNN4GDARHR-NDM的封装采用了紧凑的BGA（球栅阵列）封装技术，提供了更高的封装密度和更小的PCB空间占用。这种封装形式不仅提高了产品的可靠性，还使得设备设计更加灵活。
该芯片的工作温度范围宽广，从-40°C到85°C，能够适应各种严苛的工作环境，确保设备在极端温度下依然稳定运行。
H9TKNNN4GDARHR-NDM广泛应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网（IoT）设备以及便携式计算设备等需要高性能和低功耗内存的领域。其高容量和低功耗特性也使其成为嵌入式系统和车载电子设备的理想选择。
H9HKNNN4GDAWAR-NDM
