STB85NF55 时间：2025/7/23 11:26:56 阅读：9

STB85NF55是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换应用而设计，适用于如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理等场景。STB85NF55采用了先进的Power MOSFET技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，能够承受较高的电流和电压应力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：85A
　　最大漏源电压（VDS）：55V
　　导通电阻（RDS(on)）：13.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V至4V
　　最大栅极电压：±20V
　　最大功耗：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

STB85NF55具有多项卓越的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）为13.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这使得它在高电流应用中具有更优的性能表现。
　　其次，STB85NF55支持高达85A的连续漏极电流和55V的漏源电压，能够在高功率密度环境下稳定工作。其高电流承受能力和低导通电阻相结合，使其成为高效电源转换和电机控制的理想选择。
　　此外，STB85NF55采用了先进的封装技术，提供良好的散热性能和机械稳定性。TO-220和D2PAK等封装形式适用于不同的PCB布局需求，确保在各种应用中都能实现良好的热管理和可靠性。
　　该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提升系统的鲁棒性。其栅极驱动电压范围较宽（通常为10V），适用于常见的MOSFET驱动电路，并具备良好的开关特性，降低开关损耗。
　　最后，STB85NF55的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于工业级和汽车级应用环境，确保在极端温度条件下依然保持稳定的性能。

应用

STB85NF55广泛应用于多种高功率和高效率电子系统中。
　　首先，在电源管理系统中，STB85NF55常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路。其低导通电阻和高电流能力有助于提高转换效率，减少发热，适用于服务器电源、通信设备电源和工业电源等场景。
　　其次，在电机控制和驱动电路中，STB85NF55可用于H桥电路和电机驱动模块，提供高效、可靠的功率输出，适用于电动车、电动工具和工业自动化设备。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，能够有效管理高容量电池组的能量流动，确保系统安全稳定运行。
　　在汽车电子领域，STB85NF55可用于车载充电器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）等应用，满足汽车环境下的高可靠性和宽温度范围要求。
　　由于其优异的电气性能和封装适应性，STB85NF55也可用于各种功率开关和高频开关电源应用，适用于多种电子设备的设计。