时间：2025/7/23 6:08:45
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D90N02L是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件设计用于高效率、高频开关操作，适合于DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备等应用场合。D90N02L采用小型封装，具有良好的热性能和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：9A
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值）
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装封装）
D90N02L的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优良的热稳定性。其低Rds(on)特性可减少导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流容量使其适用于高功率密度设计，适合在小型电源模块中使用。此外，D90N02L具有良好的栅极电荷特性，有助于减少开关损耗，提高高频工作性能。其SOP封装形式提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
在可靠性方面，D90N02L具备良好的抗静电能力和过热保护特性，适合在工业和消费类电子产品中使用。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平，便于与各种控制器和驱动器配合使用。此外，该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频DC-DC转换器和同步整流电路。
D90N02L广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池供电设备以及便携式电子设备中。它也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备的电源系统中，用于高效能的电压调节和能量管理。此外，D90N02L还可用于LED照明驱动、工业控制系统和汽车电子系统的电源部分。
Si9401BDY-T1-GE3, FDN340P, TPS61020ADBVR
