CDR31BP201BKZPAT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高速光耦合器。该器件基于光电二极管和晶体管对的设计,具有高共模抑制比和良好的电气隔离性能,广泛应用于工业控制、通信设备及电源管理等领域。
该光耦通过将电信号转化为光信号再转回电信号的方式实现输入输出的电气隔离,从而有效避免噪声干扰,保护系统中的敏感电路。
型号:CDR31BP201BKZPAT
制造商:ON Semiconductor
封装类型:SO6
工作温度范围:-40°C 至 +110°C
隔离电压:5000 Vrms
电流传输比(CTR):50% 至 160%
最大正向电流:60 mA
上升时间:1.2 μs
下降时间:1.8 μs
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
CDR31BP201BKZPAT 具有以下显著特性:
1. 高速响应时间,上升时间和下降时间分别仅为1.2 μs 和1.8 μs,适合高频应用环境。
2. 广泛的工作温度范围,使其能够适应恶劣的工业环境。
3. 提供高达5000 Vrms的电气隔离能力,确保系统的安全性和可靠性。
4. 支持较宽的电流传输比范围(50% 至 160%),有助于设计者根据具体需求灵活调整电路参数。
5. 小型化SO6封装,节省PCB空间,便于高密度电路板布局。
6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺生产,适用于现代绿色电子产品设计。
CDR31BP201BKZPAT 的典型应用场景包括但不限于:
1. 工业自动化控制系统中的信号隔离。
2. 开关电源及DC-DC转换器中的反馈回路。
3. 通信设备中用于隔离数字信号或模拟信号。
4. 医疗电子设备中的患者接口隔离。
5. 家用电器如空调、冰箱等中用作控制信号隔离。
6. 各种需要高可靠性和长寿命的光电隔离场合。
CDR31BP201BKZP, CDR31BP201BKZPWT, CDR31BP201BKZPFT