SD106WS是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关和功率控制场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,广泛用于消费电子、工业设备及电源管理领域。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏电流(ID):5.8A
导通电阻(RDS(on)):35mΩ
总功耗(PD):1.7W
工作温度范围:-55°C至+150°C
SD106WS拥有出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻可有效减少功率损耗,提升系统效率。此外,它具备较高的雪崩能量承受能力,能够应对异常情况下的过载保护需求。
该器件支持快速开关操作,适用于高频电路设计。同时,其紧凑型封装有助于节省PCB空间,简化布局设计。
由于采用了先进的材料和技术,SD106WS在高温环境下仍能保持稳定的性能表现,非常适合要求严苛的应用场景。
SD106WS被广泛应用于多种领域,包括但不限于直流电机驱动、负载开关、电源适配器、LED照明驱动以及电池管理系统。其强大的功能使其成为许多工程师首选的功率开关解决方案。
在消费类电子产品中,例如智能手机和平板电脑的充电器模块里,SD106WS能够提供高效且可靠的功率转换能力。另外,在工业自动化设备中,它也扮演着关键角色,如用作继电器替代方案或逆变器中的核心元件。
AO3400A, IRFZ44N, FDN340P